一种高结晶质量聚吡咯导电薄膜及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011452642.7
IPC分类号：C08G73/06;C08J5/18;C08L79/04
申请日期：
2020-12-12
申请人：
东北师范大学

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著录项信息

专利名称	一种高结晶质量聚吡咯导电薄膜及其制备方法
申请号	CN202011452642.7	申请日期	2020-12-12
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-04-06	公开/公告号	CN112608471A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C08G73/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C08 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物 C08G 用碳-碳不饱和键以外的反应得到的高分子化合物（发酵或使用酶的方法合成目标化合物或组合物或从外消旋混合物中分离旋光异构体入C12P）〔2〕 C08G73/00 不包括在C08G 12/00到C08G 71/00组内的，在高分子主链中形成含氮的键合，有或没有氧或碳键合反应得到的高分子化合物〔2〕 C08G73/06 在高分子主链中有含氮杂环的缩聚物；聚酰肼；聚酰胺酸或类似的聚酰亚胺母体〔2〕	IPC分类号	C;0;8;G;7;3;/;0;6;;;C;0;8;J;5;/;1;8;;;C;0;8;L;7;9;/;0;4查看分类表>
申请人	东北师范大学	申请人地址	吉林省长春市南关区人民大街5268号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东北师范大学	当前权利人	东北师范大学
发明人	李炳生;卞万朋;王月飞;马剑钢;刘益春
代理机构	北京市众天律师事务所	代理人	伏栋

摘要

本发明涉及一种高结晶质量聚吡咯导电薄膜及其制备方法，包括以下步骤：步骤1、配制质子酸溶液，溶剂使用去离子水；步骤2、称取氧化剂溶解于上述酸溶液中，充分搅拌使其完全溶解；步骤3、取吡咯单体滴入上述溶液中，逐渐可观察到液面有聚吡咯薄膜形成，随着聚合时间的增加，薄膜愈发明显，反应在恒温下进行；步骤4、用洁净的衬底将步骤3生成的薄膜从液面捞出，用去离子水清洗，以除去薄膜表面的反应溶液残留；步骤5、步骤4所得薄膜烘干后即可得到高结晶质量聚吡咯薄膜。

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