一种LED封装结构及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201611083244.6
IPC分类号：H01L33/50;H01L33/52;H01L33/56;H01L33/60
申请日期：
2016-11-30
申请人：
广东晶科电子股份有限公司

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著录项信息

专利名称	一种LED封装结构及其制备方法
申请号	CN201611083244.6	申请日期	2016-11-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-03-15	公开/公告号	CN106505138A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕 H01L33/50 波长转换元件〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;5;0;;;H;0;1;L;3;3;/;5;2;;;H;0;1;L;3;3;/;5;6;;;H;0;1;L;3;3;/;6;0查看分类表>
申请人	广东晶科电子股份有限公司	申请人地址	广东省广州市南沙区环市大道南33号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	广东晶科电子股份有限公司	当前权利人	广东晶科电子股份有限公司
发明人	曾照明;陈智波;侯宇;姜志荣;万垂铭;肖国伟
代理机构	广州新诺专利商标事务所有限公司	代理人	罗毅萍

摘要

本发明公开一种LED封装结构，包括LED芯片、LED载体、光转换层和外保护层，所述LED芯片设于LED载体上；还包括有透明硅胶层，透明硅胶层被包覆于光转换层和所述LED芯片之间；位于透明硅胶层上方的光转换层的厚度从中心区到四周逐渐减小，位于透明硅胶层侧壁的光转换层的厚度从上往下逐渐增大；外保护层包覆光转换层。本发明还公开了一种LED封装结构的制备方法。本发明所述的LED封装结构，改进了LED芯片外围的光转换层的分布，提高了LED器件的空间色温均匀性，且解决了光转换层受热失效的问题；对于其制备方法，实现了机械化生产，封装步骤简单，可实现批量化生产。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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