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紫外修复机台

实用新型专利无效专利

申请号：
CN200820080214.4
IPC分类号：H01L21/00;H01L21/3105;H01L21/324
申请日期：
2008-04-28
申请人：
中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	紫外修复机台
申请号	CN200820080214.4	申请日期	2008-04-28
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;0;5;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;4查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	申请人地址	北京市北京经济技术开发区文昌大道18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
发明人	刘明源
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	李丽

摘要

一种紫外修复机台，包括：反应腔室，所述反应腔室内包括位于底壁用以承载晶片的承载台，以及位于与底壁相对顶壁上的紫外光源，所述紫外光源具有与其中心平面垂直的第一对称轴，所述第一对称轴与垂直于所述晶片中心平面的第二对称轴重合；所述紫外光源为圆环形紫外光源。可增强紫外光照射的均匀程度。

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