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一种全碳化硅MEMS三轴加速度计及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201811616953.5
  • IPC分类号:G01P15/18;G01P15/12;B81B7/02;B81C1/00
  • 申请日期:
    2018-12-28
  • 申请人:
    西安交通大学
著录项信息
专利名称一种全碳化硅MEMS三轴加速度计及其制造方法
申请号CN201811616953.5申请日期2018-12-28
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-03-08公开/公告号CN109444469A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01P15/18IPC分类号G;0;1;P;1;5;/;1;8;;;G;0;1;P;1;5;/;1;2;;;B;8;1;B;7;/;0;2;;;B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人西安交通大学申请人地址
陕西省西安市碑林区咸宁西路28号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安交通大学当前权利人西安交通大学
发明人方续东;吴晨;孙林;赵立波;赵玉龙;蒋庄德
代理机构西安智大知识产权代理事务所代理人贺建斌
摘要
一种全碳化硅MEMS三轴加速度计及其制造方法,加速度计包括下部碳化硅基底层,下部碳化硅基底层通过中间连接层和上部碳化硅结构外框连接,上部碳化硅结构外框内部设有中心对称的中心四梁质量岛单元、四梁质量岛子结构构成五组阵列式四梁质量岛结构,中心四梁质量岛单元设置通过支撑梁与上部碳化硅结构外框连接,支撑梁的敏感压阻条与各自对应的金属引线连接,并构成半开环惠斯通电桥;中心四梁质量岛单元、四梁质量岛子结构与下部碳化硅基底层有间隙,制造方法是将制作有上部碳化硅结构外框结构的碳化硅片和另一作为下部碳化硅基底层的碳化硅片通过中间连接层连接,本发明加速度计具有体积小、结构简单、灵敏度高、耐高温恶劣环境等优点。

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