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基于碳化硅平面型MOS结构的PIN二极管

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110025621.5
  • IPC分类号:H01L29/868;H01L29/06
  • 申请日期:
    2021-01-08
  • 申请人:
    江苏东海半导体科技有限公司
著录项信息
专利名称基于碳化硅平面型MOS结构的PIN二极管
申请号CN202110025621.5申请日期2021-01-08
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-05-25公开/公告号CN112838129A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/868
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;8;6;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人江苏东海半导体科技有限公司申请人地址
江苏省无锡市新吴区硕放街道中通东路88号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人江苏东海半导体科技有限公司当前权利人江苏东海半导体科技有限公司
发明人夏华忠;黄传伟;李健;诸建周;吕文生;谈益民
代理机构无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)代理人殷红梅
摘要
本发明涉及一种基于碳化硅平面型MOS结构的PIN二极管。其包括半导体衬底,在所述半导体衬底上设置P型阱区、N型阱区以及低掺杂本征半导体区,P型阱区通过低掺杂本征半导体区与N型阱区间隔,低掺杂本征半导体区分别与P型阱区、N型阱区邻接;还包括正极区结构、负极区结构以及分裂栅区结构,正极区结构与与P型阱区适配连接,负极区结构与N型阱区适配,分裂栅区结构位于正极区结构与负极区结构之间;本发明能有效地降低PIN二极管的开关损耗,提高PIN二极管的开关速度,还可以实现碳化硅PIN二极管的自修复,进而提高PIN二极管的电学性能。

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