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一种低氟高纯五氧化二钽光学镀膜材料制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202011477982.5
  • IPC分类号:C04B35/495;C04B35/626;C01G35/00
  • 申请日期:
    2020-12-15
  • 申请人:
    海宁拓材科技股份有限公司
著录项信息
专利名称一种低氟高纯五氧化二钽光学镀膜材料制备方法
申请号CN202011477982.5申请日期2020-12-15
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2021-04-02公开/公告号CN112592180A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/495IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;4;9;5;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;6;;;C;0;1;G;3;5;/;0;0查看分类表>
申请人海宁拓材科技股份有限公司申请人地址
浙江省嘉兴市海宁市尖山新区金牛路28号6号车间 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人海宁拓材科技有限公司当前权利人海宁拓材科技有限公司
发明人卢鹏荐;张威
代理机构上海精晟知识产权代理有限公司代理人莫冬丽
摘要
本发明公开了一种低氟高纯五氧化二钽光学镀膜材料制备方法,具体涉及钽金属氧化物制备技术领域,包括以下步骤,首先将金属钽溶入氢氟酸和硝酸混酸中,然后萃取提纯后,得到高纯钽液,将高纯钽液通入中和沉淀槽中,同时向高纯钽液中加入液氨,在出现氢氧化钽沉淀后,将含有氢氧化钽沉淀的溶液通入压滤机中,同时加入含氨热纯水,然后得到氢氧化钽,然后多次重复将氢氧化钽加入过滤过程。本发明通过采用电子束对五氧化二钽进行加热处理,不用使用较高的温度即可达到加热煅烧目的,晶粒分布均匀,晶系结构更加理想,同时采用多次使用含氨热纯水辅助过滤过程,保证对氢氧化钽溶液中氟的去除效果更加理想充分,大大降低产品中的含氟量。

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