首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

高温选择性融合接合的工艺与构造

发明专利有效专利

申请号：
CN201180007649.0
IPC分类号：H01L21/027
申请日期：
2011-01-26
申请人：
盾安美斯泰克股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	高温选择性融合接合的工艺与构造
申请号	CN201180007649.0	申请日期	2011-01-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-11-21	公开/公告号	CN102792419A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/027 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/027 未在H01L 21/18或H01L 21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;7查看分类表>
申请人	盾安美斯泰克股份有限公司	申请人地址	美国德克萨斯州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	盾安美斯泰克股份有限公司	当前权利人	盾安美斯泰克股份有限公司
发明人	P.阿鲁纳萨拉姆
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	焦玉恒

摘要

一种防止微机电系统装置内，更具体地说，防止在具有微米范围内或更小(亦即小于约10微米)的凹部内的可动构造在接合工艺期间内被不慎地接合至非运动构造的方法。该方法包括在构造方面和化学方面对硅进行表面制备，以帮助防止运动构造在接合期间(包括在高力量、高温度融合接合期间)内接合至相邻的表面。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供