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一种用于优化VDMOS加工工艺的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110596980.6
  • IPC分类号:H01L21/336
  • 申请日期:
    2021-05-31
  • 申请人:
    电子科技大学
著录项信息
专利名称一种用于优化VDMOS加工工艺的方法
申请号CN202110596980.6申请日期2021-05-31
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2021-09-07公开/公告号CN113363156A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人电子科技大学申请人地址
四川省成都市高新西区西源大道2006号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人电子科技大学当前权利人电子科技大学
发明人陈万军;武国云;许晓锐;张波
代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)代理人孙一峰
摘要
本发明公开了一种用于优化VDMOS加工工艺的方法,该方法的最小光刻层数为4层,分别是有源区光刻、多晶硅光刻、接触孔光刻、金属层光刻;本发明利用多晶硅光刻同时定义栅极、场板图形、P‑body、N+注入图形,其中body注入图形包括结终端保护环结构。即利用多晶硅光刻同时进行有源区和结终端保护环的P注入形成P‑body,再进行N+注入,实现栅极、场板、P‑body、N+图形的定义;利用接触孔光刻先刻蚀一部分N+区形成N‑source,最后进行P+注入形成P‑body区的欧姆接触,实现N‑source、P‑body区欧姆接触图形的定义。本发明对现有VDMOS版图设计及加工工艺进行改进,将现有的六道光刻版VDMOS工艺降低为四道版,并保证了器件性能无明显退化,由此节省了两层光刻工艺,从而缩短工艺流程、降低工艺成本。

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