采用低温工艺形成电学隔离区方法及单片集成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200710045975.6
IPC分类号：H01L21/84;H01L21/76;H01L21/768;H01L27/12;H01L23/522;B81C1/00;B81B7/02
申请日期：
2007-09-13
申请人：
李刚;胡维

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法律信息

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著录项信息

专利名称	采用低温工艺形成电学隔离区方法及单片集成方法
申请号	CN200710045975.6	申请日期	2007-09-13
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2009-03-18	公开/公告号	CN101388364
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/84 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/70 由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K 3/00，H05K 13/00）〔2〕 H01L21/77 在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）〔6，2006.01，2017.01〕 H01L21/78 把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L 21/304）〔2，6〕 H01L21/82 制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路〔2〕 H01L21/84 衬底不是半导体的，例如绝缘体〔2，6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;8;4;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;2;;;B;8;1;C;1;/;0;0;;;B;8;1;B;7;/;0;2查看分类表>
申请人	李刚;胡维	申请人地址	江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号NW-09楼102 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州敏芯微电子技术股份有限公司	当前权利人	苏州敏芯微电子技术股份有限公司
发明人	李刚;胡维
代理机构	上海光华专利事务所	代理人	余明伟

摘要

一种采用低温工艺形成电学隔离区方法及单片集成方法芯片，其首先采用湿法腐蚀、等离子干法刻蚀或深槽反应离子刻蚀法将一绝缘硅基片具有的器件层相应部分腐蚀以形成相应隔离槽，并由隔离槽将基片分隔为多个电学隔离区，接着再在器件层上采用低于400℃的低温工艺生成一绝缘介质层，并使处于隔离槽位置处的绝缘介质层表面平坦，然后再在需要电学连接的各电学隔离区的绝缘介质层相应位置采用湿法腐蚀或干法刻蚀法形成相应连接孔，最后在绝缘介质层上淀积一金属层，并进行必要刻蚀后形成将各连接孔进行相应金属互连的金属连接线，进而实现相应各电学隔离区的必要电学连接，由此可实现将MEMS与集成电路器件的集成。

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