一种线性化设计的功率放大器

发明专利有效专利

申请号：
CN202110088462.3
IPC分类号：H03F3/20
申请日期：
2021-01-22
申请人：
上海华虹宏力半导体制造有限公司

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专利名称	一种线性化设计的功率放大器
申请号	CN202110088462.3	申请日期	2021-01-22
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-01	公开/公告号	CN112886932A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03F3/20 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03F 放大器（测量、试验入G01R；光参量放大器入G02F；具有二次发射管的电路装置入H01J 43/30；微波激射器，激光器入H01S；电动放大器入H02K；放大的控制入H03G；与放大器特性无关的耦合装置，分压器入H03H；只能处理脉冲的放大器入H03K；传输线路中的中继器电路入H04B 3/36、H04B 3/58；电话通信中音频放大器的应用入H04M 1/60，H04M 3/40） H03F3/20 至H03F 3/72各组优先于H03F 3/02至H03F 3/189各组。〔2〕	IPC分类号	H;0;3;F;3;/;2;0查看分类表>
申请人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	戴若凡
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	曹廷廷

摘要

本发明公开了一种线性化设计的功率放大器，包括：输入及匹配模块，用于对输入的射频信号进行阻抗匹配并隔直；层叠功率放大模块，用于在偏置电压的控制下对匹配后的射频信号进行功率放大，并在线性度提升模块的影响下提高功率放大器的线性度；输出及匹配模块，用于对所述层叠功率放大模块的输出射频信号进行阻抗匹配并隔直；固定偏置模块，用于在参考电流Iref的控制下给所述层叠功率放大模块的共源NMOS功率放大管、多级共栅NMOS功率放大管设置偏置电压；线性度提升模块，用于将从所述输入及匹配模块获得的采样信号放大后馈入至所述层叠功率放大模块的级间。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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