连接结构及其制造方法以及传感器

发明专利有效专利

申请号：
CN201810194325.6
IPC分类号：B81B7/00;B81C1/00;G01D5/241
申请日期：
2018-03-09
申请人：
株式会社东芝

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	连接结构及其制造方法以及传感器
申请号	CN201810194325.6	申请日期	2018-03-09
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-03-22	公开/公告号	CN109502538A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81B7/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81B 微观结构的装置或系统，例如微观机械装置（压电元件、电致伸缩元件或磁致伸缩元件本身入H01L41/00）〔7〕 B81B7/00 微观结构系统〔7，2006.01〕	IPC分类号	B;8;1;B;7;/;0;0;;;B;8;1;C;1;/;0;0;;;G;0;1;D;5;/;2;4;1查看分类表>
申请人	株式会社东芝	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社东芝	当前权利人	株式会社东芝
发明人	富泽英之;斋藤友博;藤本明;久留井庆彦;小岛章弘
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	陈冠钦

摘要

本发明涉及连接结构及其制造方法以及传感器。实施方式涉及插头与硅锗层的连接结构。提供能减小插头与硅锗层之间的接触电阻的连接结构。实施方式涉及的连接结构包含：具有导电性的插头(20)；将插头(20)的侧面覆盖的第1绝缘膜(21、22)；和在插头(20)的上表面上设置且包含多晶硅锗层(25)和非晶硅锗层(26)的电极(24)。多晶硅锗层(25)对于插头(20)的上表面的至少一部分没有经由非晶硅锗层(26)地接触。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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