具有伪结构的半导体器件

发明专利有效专利

申请号：
CN200310102359.1
IPC分类号：H01L23/52;H01L27/06
申请日期：
2003-10-27
申请人：
富士通株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有伪结构的半导体器件
申请号	CN200310102359.1	申请日期	2003-10-27
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2004-05-26	公开/公告号	CN1499624
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/52 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;2;;;H;0;1;L;2;7;/;0;6查看分类表>
申请人	富士通株式会社	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	富士通株式会社,日本东京都,富士通半导体股份有限公司	当前权利人	富士通株式会社,日本东京都,富士通半导体股份有限公司
发明人	南条亮太
代理机构	北京东方亿思知识产权代理有限责任公司	代理人	杜娟;董方源

摘要

本发明提供了一种半导体器件，具有：具有界定了多个有源区的隔离区的半导体衬底；形成于各个有源区之上、构成半导体元件的栅电极；覆盖该栅电极的级间绝缘体；穿过所述级间绝缘体而形成并电连接到所述半导体元件上的局部互连；穿过所述级间绝缘体而形成并与所述局部互连电气上分隔的伪局部互连；和下级伪结构，每个所述下级伪结构都包括伪有源区、伪有源区和形成于其上的伪栅电极所构成的层叠的伪结构以及形成在所述隔离区上的伪栅电极中的一个，其中每一个所述伪局部互连都不连接到两个或更多下级伪结构上。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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