一种垂直LED芯片的制作方法以及垂直LED芯片

发明专利有效专利

申请号：
CN201310473123.2
IPC分类号：H01L33/00;H01L33/02;B23K26/36
申请日期：
2013-10-11
申请人：
聚灿光电科技（苏州）有限公司

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著录项信息

专利名称	一种垂直LED芯片的制作方法以及垂直LED芯片
申请号	CN201310473123.2	申请日期	2013-10-11
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2013-12-25	公开/公告号	CN103474529A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;3;3;/;0;2;;;B;2;3;K;2;6;/;3;6查看分类表>
申请人	聚灿光电科技（苏州）有限公司	申请人地址	江苏省宿迁市经济技术开发区东吴路南侧变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	聚灿光电科技（宿迁）有限公司	当前权利人	聚灿光电科技（宿迁）有限公司
发明人	魏天使;刘撰;陈立人;余长治;李忠武
代理机构	苏州威世朋知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	杨林洁

摘要

本发明公开了一种垂直LED芯片的制作方法以及垂直LED芯片，其操作步骤包括：a）、在衬底上制作由N-GaN层、发光层和P-GaN层组成的外延层；b）、对所述外延层进行光刻工艺处理，在外延层上形成1个或多个划片槽；c）、在所述外延层上依次制作接触层和高反射电极层；d）、向所述划片槽内填充绝缘材料；e）、将所述高反射电极层键合到导热基板上；f）、采用激光剥离技术将衬底去除；g）、在所述N-GaN层上制作N型电极，完成垂直LED芯片的制作，本发明避免由于在激光剥离过程产生反冲或能量过高产生应力，确保本发明垂直LED芯片的成品率以及亮度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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