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平面型单硅双金属层功率器件及制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200610035992.7
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/40;H01L27/04;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/822
  • 申请日期:
    2006-06-16
  • 申请人:
    广州南科集成电子有限公司
著录项信息
专利名称平面型单硅双金属层功率器件及制造方法
申请号CN200610035992.7申请日期2006-06-16
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2007-01-17公开/公告号CN1897304
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;0;;;H;0;1;L;2;7;/;0;4;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;2查看分类表>
申请人广州南科集成电子有限公司申请人地址
广东省广州市经济技术开发区科学城光谱中路 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人广州南科集成电子有限公司当前权利人广州南科集成电子有限公司
发明人吴纬国
代理机构广州市红荔专利代理有限公司代理人李彦孚
摘要
本发明公开了一种成本低、占用面积小、栅极电容小、开启速度快、易于集成的平面型单硅双金属层功率器件及制造方法。该功率器件包括硅衬底,形成于硅衬底内的阱区、形成于硅衬底正面的两个氧化层,分别位于两个氧化层正面的漏极金属、源极金属、栅极金属,植入到硅衬底中的阱接触区、源区、漏区、通道区,形成于硅衬底正面的栅氧化层,位于栅氧化层上的多晶硅栅极,两个氧化层上分别有若干个通孔,两个氧化层正面的漏极金属、源极金属、栅极金属各填充通孔并分别与漏区、阱接触区及源区、多晶硅栅极相连接。制造方法包括形成栅氧化层、阱区、通道区、多晶硅栅极、阱接触区、源区、漏区、氧化层、金属层的步骤。本发明可广泛应用于集成电路领域。

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