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凸块制程

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200610064835.9
  • IPC分类号:H01L21/60
  • 申请日期:
    2006-03-14
  • 申请人:
    南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
著录项信息
专利名称凸块制程
申请号CN200610064835.9申请日期2006-03-14
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2007-09-19公开/公告号CN101038441
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/60IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司申请人地址
中国台湾 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人南茂科技股份有限公司,百慕达南茂科技股份有限公司当前权利人南茂科技股份有限公司,百慕达南茂科技股份有限公司
发明人王俊恒
代理机构北京中原华和知识产权代理有限责任公司代理人寿宁;张华辉
摘要
一种凸块制程包括下列步骤。首先提供一具有多个接点的本体。然后形成具有多个第一开口的一保护层于本体上,其中这些第一开口暴露出本体的多个接点。接着于保护层与这些接点上形成一球底金属层。之后形成具有多个第二开口的一图案化光阻层于球底金属层上,其中这些第二开口分别位于这些第一开口的上方。然后对应这些接点而形成多个凸块于第二开口内,其中这些凸块的远离保护层的表面低于图案化光阻层远离保护层的表面。接着对这些凸块进行蚀刻,以平坦化这些凸块的表面。然后移除图案化光阻层以及移除球底金属层的不为这些凸块所覆盖的部份。

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