功率半导体器件及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN202010489030.9
IPC分类号：H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336
申请日期：
2020-06-02
申请人：
杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰集成电路有限公司

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专利名称	功率半导体器件及其制造方法
申请号	CN202010489030.9	申请日期	2020-06-02
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2020-10-09	公开/公告号	CN111755500A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/06 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/02 按其半导体本体的特征区分的〔2〕 H01L29/06 按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人	杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰集成电路有限公司	申请人地址	浙江省杭州市黄姑山路4号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	杭州士兰微电子股份有限公司,杭州士兰集成电路有限公司	当前权利人	杭州士兰微电子股份有限公司,杭州士兰集成电路有限公司
发明人	张邵华;郭广兴;杨彦涛
代理机构	北京成创同维知识产权代理有限公司	代理人	岳丹丹

摘要

本发明公开了一种功率半导体器件及其制造方法，功率半导体器件的部分屏蔽导体与源极电极连接，屏蔽导体在与源极电极电连接的位置处，屏蔽导体从沟槽底部延伸至沟槽内两侧的栅极导体之间的位置，栅极导体和屏蔽导体之间由隔离层隔开，屏蔽导体与源极电极连接；部分屏蔽导体不与源极电极连接，屏蔽导体在不与源极电极电连接的位置处，屏蔽导体从沟槽底部延伸至沟槽上部两侧的栅极导体下方区域，减小了屏蔽导体的寄生电阻，使得寄生电阻下降几十倍。

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