单晶硅中阶梯光栅的湿法刻蚀方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201210536724.9
IPC分类号：G02B5/18;G03F7/00
申请日期：
2012-12-12
申请人：
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

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专利名称	单晶硅中阶梯光栅的湿法刻蚀方法
申请号	CN201210536724.9	申请日期	2012-12-12
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2013-03-20	公开/公告号	CN102981198A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G02B5/18 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G02 光学 G02B 光学元件、系统或仪器（G02F优先；专用于照明装置或系统的光学元件入F21V 1/00至F21V 13/00；测量仪器见G01类的有关小类，例如，光学测距仪入G01C；光学元件、系统或仪器的测试入G01M 11/00；眼镜入G02C；摄影、放映或观看用的装置或设备入G03B；声透镜入G10K 11/30；电子和离子“光学”入H01J；X射线“光学”入H01J，H05G 1/00；结构上与放电管相组合的光学元件入H01J 5/16，H01J 29/89，H01J 37/22；微波“光学”入H01Q；光学元件与电视接收机的组合装置入H04N 5/72；彩色电视系统中的光学系统或装置入H04N 9/00；专门适用于透明或反射区的加热装置入H05B 3/84）〔1，7〕 G02B5/00 除透镜外的光学元件（光波导入G02B 6/00；光学逻辑元件入G02F 3/00）〔4〕 G02B5/18 衍射光栅	IPC分类号	G;0;2;B;5;/;1;8;;;G;0;3;F;7;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	申请人地址	吉林省长春市东南湖大路3888号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	当前权利人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
发明人	焦庆斌;谭鑫;巴音贺希格;齐向东
代理机构	长春菁华专利商标代理事务所	代理人	陶尊新

摘要

单晶硅中阶梯光栅的湿法刻蚀方法，涉及光谱技术领域，解决现有中阶梯光栅制作方法存在制作成本高，有鬼线及高杂散光的问题，本发明的制作过程包括基底处理、涂胶、前烘、全息曝光、显影、后烘、倒置热熔、氧化层掩模制备、去胶、单晶硅湿法刻蚀、清洁处理和光栅复制。本发明所述的制作方法成本低并且易于实现，本方法特别是采用光刻胶倒置热熔法可以制备小占宽比的光刻胶掩模，大大地节约了成本、缩短了制作周期，该种光栅在光学系统中的应用能够减少系统的零部件，可显著提高光学系统的分辨率和色散度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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