N型掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池器件

发明专利有效专利

申请号：
CN201310154476.6
IPC分类号：H01L31/075;H01L31/0352;H01L31/18
申请日期：
2013-04-28
申请人：
常州天合光能有限公司

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专利名称	N型掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池器件
申请号	CN201310154476.6	申请日期	2013-04-28
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2013-07-10	公开/公告号	CN103199143A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/075 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/04 用作光伏〔PV〕转换器件（制造中其测试入H01L21/66；制造之后其测试入H02S50/10）的〔2，2014.01〕 H01L31/06 以至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的为特征的〔2，2012.01〕 H01L31/075 只是PIN型势垒的，例如非晶硅PIN太阳能电池〔5，2012.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;7;5;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	常州天合光能有限公司	申请人地址	江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天合光能股份有限公司	当前权利人	天合光能股份有限公司
发明人	包健;高纪凡
代理机构	常州市科谊专利代理事务所	代理人	孙彬

摘要

本发明公开了一种N型掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池器件，其中，本征非晶硅钝化层沉积在N型晶体硅衬底的正面上；重掺杂P型非晶硅层沉积在本征非晶硅钝化层的上表面上；正面透明导电膜层沉积在重掺杂P型非晶硅层的上表面上；正面电极层位于正面透明导电膜层的上表面上，并且通过该正面透明导电膜层与重掺杂P型非晶硅层电性连接；N型掺氢晶化硅层沉积在N型晶体硅衬底的背面上；重掺杂N型非晶硅层沉积在N型掺氢晶化硅层的下表面上；背面透明导电膜层沉积在重掺杂N型非晶硅层的下表面上；背面电极层位于背面透明导电膜层的下表面上，并且通过该背面透明导电膜层与重掺杂N型非晶硅层电性连接。本发明可以降低太阳能电池的整体串联电阻，进而可以提高填充因子，从而提高太阳能电池的转换效率。

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