一种厚膜热流计的共形制备方法以及产品

发明专利有效专利

申请号：
CN202010515636.5
IPC分类号：G01K17/00
申请日期：
2020-06-09
申请人：
华中科技大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种厚膜热流计的共形制备方法以及产品
申请号	CN202010515636.5	申请日期	2020-06-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-09-01	公开/公告号	CN111609951A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01K17/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01K 温度测量；热量测量；未列入其他类目的热敏元件（辐射高温测定法入G01J 5/00） G01K17/00 测量热量	IPC分类号	G;0;1;K;1;7;/;0;0查看分类表>
申请人	华中科技大学	申请人地址	湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华中科技大学	当前权利人	华中科技大学
发明人	曾晓雁;欧阳韬源;凌怡辰;吕铭;王月月;吴烈鑫
代理机构	武汉华之喻知识产权代理有限公司	代理人	王世芳;曹葆青

摘要

本发明公开了一种厚膜热流计的共形制备方法，属于厚膜传感器领域，包括：S1在基体待测部位制备凹槽，凹槽用于提供制备热阻层的场所，S2在凹槽中制备热阻层，S3制备绝缘层，S4在绝缘层上制备热电正极、热电负极和热结点，形成热电堆图形，S5制备表面保护层，表面保护层用于提高热流计的稳定性。本发明中，采用激光微熔覆技术方便高效的进行电子浆料的直写和微熔覆，从而在多种不同基板表面制备热流计，具有工艺简单、无需掩模、制造周期短、成本低的优点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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