薄膜形成装置、溅射阴极以及薄膜形成方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201280019492.8
IPC分类号：--
申请日期：
2012-10-23
申请人：
株式会社新柯隆

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法律信息

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著录项信息

专利名称	薄膜形成装置、溅射阴极以及薄膜形成方法
申请号	CN201280019492.8	申请日期	2012-10-23
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2014-07-23	公开/公告号	CN103946417A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	株式会社新柯隆	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社新柯隆	当前权利人	株式会社新柯隆
发明人	宫内充祐;村田尊则;菅原卓哉;盐野一郎;姜友松;林达也;长江亦周
代理机构	北京三友知识产权代理有限公司	代理人	丁香兰;褚瑶杨

摘要

本发明提供薄膜形成装置、溅射阴极以及薄膜形成方法，所述薄膜形成装置、溅射阴极及薄膜形成方法能够在大型基板上以高成膜速率形成光学多层膜。一种薄膜形成装置1，其中，在真空槽21内，利用溅射在基板43上形成金属化合物的薄膜。真空槽21内具备由金属或具有导电性的金属化合物构成的靶材63a、b和活性种源，所述活性种源按照在电磁性及压力方面与靶材63a、b相互影响的方式而设置、并且可生成反应性气体的活性种。活性种源具备供给反应性气体的气体源76、77和将能量供给至真空槽内从而将反应性气体激发为等离子体状态的能量源80。能量源80在与真空槽21之间具备用于将能量供给至真空槽21内的电介质窗，该电介质窗按照与基板43平行、或以相对于基板43呈小于90°的角度向靶材63a、b侧倾斜的方式配置。

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