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静电容量型湿度传感器以及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200980145292.5
  • IPC分类号:G01N27/22;G01N27/00;G01N27/26
  • 申请日期:
    2009-11-12
  • 申请人:
    电子部品研究院
著录项信息
专利名称静电容量型湿度传感器以及其制造方法
申请号CN200980145292.5申请日期2009-11-12
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2012-05-02公开/公告号CN102439430A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01N27/22IPC分类号G;0;1;N;2;7;/;2;2;;;G;0;1;N;2;7;/;0;0;;;G;0;1;N;2;7;/;2;6查看分类表>
申请人电子部品研究院申请人地址
韩国京畿道 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人电子部品研究院当前权利人电子部品研究院
发明人洪性珉;金建年;曹泳唱;金原孝
代理机构北京润平知识产权代理有限公司代理人江娟;南毅宁
摘要
本发明涉及一种静电容量型湿度传感器,更详细而言,涉及一种静电容量型湿度传感器以及其制造方法,通过在ROIC基板形成传感部可以使湿度传感器小型化的同时,通过在下部电极层和上部电极层形成表面积大的高分子材料的减湿层,可以提高传感器的可靠性。本发明的静电容量型湿度传感器包含:ROIC基板,其包含电极极板;金属层,其形成于所述ROIC基板上部,并被图案化以使露出所述电极极板的局部;绝缘层,其形成于所述金属层的上部,并被图案化以使所述电极极板的局部露出;下部电极层,其形成于所述绝缘层的上部;减湿层,其被蚀刻形成以便加大所述下部电极层上部的表面积;上部电极层,其形成于所述减湿层的上部;连接层,其形成于被露出的所述电极极板的上部,并使所述下部电极层和所述上部电极层分别与所述电极极板接触。

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