瓷介电容保护方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110603149.9
IPC分类号：H05K3/34
申请日期：
2021-05-31
申请人：
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	瓷介电容保护方法
申请号	CN202110603149.9	申请日期	2021-05-31
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-03	公开/公告号	CN113347806A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H05K3/34 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H05 其他类目不包含的电技术 H05K 印刷电路；电设备的外壳或结构零部件；电气元件组件的制造（其他类目不包括的仪器零部件或其他设备的类似零部件入G12B；薄膜或厚膜电路入H01L 27/01，H01L 27/13；用于对印刷电路或印刷电路之间的电连接的非印刷方法入H01R；用于特殊类型设备的外壳或其结构零部件，见有关小类；仅包括单一工艺的加工方法，例如已列入其他类目的加热、喷射，见有关的类） H05K3/00 用于制造印刷电路的设备或方法（结构表面或图形表面照相制板的制作、所用的材料或原图、其专用的设备，一般入G03F；包括有半导体器件制造的入H01L）〔3〕 H05K3/30 用电元件组装印刷电路的，例如用电阻 H05K3/32 电元件或导线与印刷电路的电连接 H05K3/34 通过焊接的	IPC分类号	H;0;5;K;3;/;3;4查看分类表>
申请人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	申请人地址	吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	当前权利人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
发明人	宋克非;刘世界;陈波;韩振伟
代理机构	长春中科长光知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	高一明;郭婷

摘要

本发明提供一种瓷介电容保护方法，包括以下步骤：S1、将瓷介电容的两根引线弯曲成倒圆弧直角型；S2、将两根引线与电路板进行焊接；S3、分层对瓷介电容与电路板之间进行注胶加固；S4、将两根引线与电路板的焊接处分别进行点胶灌封。本发明可以提高瓷介电容，特别是引线式高压瓷介电容的抗外来冲击和振动的力学特性，减少随运载火箭发射、入轨时经历复杂力学环境后的损坏风险，提高瓷介电容的可靠性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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