半导体装置及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210385975.1
IPC分类号：H01L23/31;H01L21/56
申请日期：
2012-10-12
申请人：
三菱电机株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体装置及其制造方法
申请号	CN201210385975.1	申请日期	2012-10-12
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-07-17	公开/公告号	CN103208466A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/31 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/28 封装，例如密封层、涂覆物（H01L 23/552优先）〔2，5〕 H01L23/31 按配置特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6查看分类表>
申请人	三菱电机株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三菱电机株式会社	当前权利人	三菱电机株式会社
发明人	冈诚次;多田和弘;吉田博
代理机构	北京天昊联合知识产权代理有限公司	代理人	何立波;张天舒

摘要

本发明涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置（100）具备：金属基板（10），其包含金属底座板（1）、在金属底座板（1）上配置的绝缘片（2）及在绝缘片（2）上配置的布线图案（3）；和半导体元件（4），其配置在金属基板（10）上。半导体元件（4）被模制树脂（8）密封。模制树脂（8）延伸到金属基板（10）的侧面。在金属基板（10）的侧面，绝缘片（2）及布线图案（3）不从模制树脂（8）露出，另一方面，金属底座板（1）具有从模制树脂（8）露出的伸出部（1a）。根据本发明，能够提高采用成批传递模制方式制造的半导体装置的可靠性。

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