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SRAM失效在线测试方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910056865.2
  • IPC分类号:H01L21/66
  • 申请日期:
    2019-01-22
  • 申请人:
    上海华虹宏力半导体制造有限公司
著录项信息
专利名称SRAM失效在线测试方法
申请号CN201910056865.2申请日期2019-01-22
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-05-28公开/公告号CN109817538A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/66IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;6查看分类表>
申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司当前权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人张连宝;曹子贵;姜国伟;章屠灵;周广伟;王卉;陈宏
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人屈蘅
摘要
本发明提供了一种SRAM失效在线测试方法,包括:获取晶圆图像,图像包括多个SRAM的图形;对图像进行处理,获取SRAM图形的特征值;通过特征值提取相邻图形之间的最小距离;若最小距离小于阈值,则判断SRAM已失效。在本发明提供的SRAM失效在线测试方法中,通过获取SRAM的图形,对SRAM图形的处理提取SRAM图形的特征值,根据特征值判断相邻的SRAM图形的间距,从而判断相邻的SRAM图形是否有短路连接。本发明实施例提供的SRAM失效在线测试方法可以在线判断SRAM是否短路,实时识别晶圆是否出现不良,减少晶圆不良品的判断的时间,提高工作效率,提升晶圆的良率。

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