蓄电装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201210312716.6
IPC分类号：H01M10/0525;H01M4/134;H01G9/042
申请日期：
2012-08-29
申请人：
株式会社半导体能源研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	蓄电装置
申请号	CN201210312716.6	申请日期	2012-08-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-03-13	公开/公告号	CN102969529A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01M10/0525 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01M 用于直接转变化学能为电能的方法或装置，例如电池组〔2〕（一般电化学的方法或装置入C25；用于转变光或热为电能的半导体或其他固态器件入H01L，例如H01L 31/00，H01L 35/00，H01L 37/00）〔2〕 H01M10/00 二次电池；及其制造〔2〕 H01M10/05 非水电解质蓄电池（H01M 10/39优先）〔2010.01〕 H01M10/052 锂蓄电池〔2010.01〕 H01M10/0525 摇椅式电池，即其两个电极均插入或嵌入有锂的电池；锂离子电池〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;M;1;0;/;0;5;2;5;;;H;0;1;M;4;/;1;3;4;;;H;0;1;G;9;/;0;4;2查看分类表>
申请人	株式会社半导体能源研究所	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社半导体能源研究所	当前权利人	株式会社半导体能源研究所
发明人	竹内敏彦;高桥实;长多刚;小国哲平;种村和幸
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	冯雅

摘要

本发明提供一种在将硅用于负极活性物质时能够提高放电容量等蓄电装置的性能的蓄电装置及其制造方法。本发明提供一种蓄电装置，包括：集电体；以及集电体上的用作活性物质层的硅层，其中，硅层包括：与集电体接触的薄膜状部分；多个根块；以及从多个根块的每一个延伸出的多个须状突起物，并且，从多个根块中的一个根块延伸出的须状突起物的一部分与从多个根块中的其他根块延伸出的须状突起物的一部分结合。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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