一种发光二极管外延片及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810159383.5
IPC分类号：H01L33/04;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/00
申请日期：
2018-02-26
申请人：
华灿光电（苏州）有限公司

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著录项信息

专利名称	一种发光二极管外延片及其制造方法
申请号	CN201810159383.5	申请日期	2018-02-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-08-28	公开/公告号	CN108461592A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/04 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/04 具有一个量子效应结构或超晶格，例如隧道结〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;4;;;H;0;1;L;3;3;/;0;6;;;H;0;1;L;3;3;/;1;2;;;H;0;1;L;3;3;/;1;4;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	华灿光电（苏州）有限公司	申请人地址	江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华灿光电（苏州）有限公司	当前权利人	华灿光电（苏州）有限公司
发明人	苏晨;王慧;肖扬;吕蒙普;胡加辉;李鹏
代理机构	北京三高永信知识产权代理有限责任公司	代理人	徐立

摘要

本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。外延片包括依次层叠在多量子阱层上的插入层、低温P型层、电子阻挡层、高温P型层、P型接触层；插入层为AlN层，低温P型层为掺Mg的AlGaN/GaN超晶格结构或掺Mg的AlGaN/InGaN超晶格结构，AlN层和低温P型层相配合，可以分担一部分的电子阻挡层的作用，减薄电子阻挡层的厚度，从而减小对空穴的阻挡作用，更多的空穴可以在多量子阱层与电子复合发光，提高了LED的内量子发光效率。插入层、低温P型层、电子阻挡层、高温P型层和P型接触层的总厚度为40～100nm，P型层的厚度减薄，提高了LED的外量子发光效率。

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