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混合硅太阳电池及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201210032611.5
  • IPC分类号:H01L31/074;H01L31/0224;H01L31/036;H01L31/18
  • 申请日期:
    2007-02-08
  • 申请人:
    无锡尚德太阳能电力有限公司
著录项信息
专利名称混合硅太阳电池及其制造方法
申请号CN201210032611.5申请日期2007-02-08
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2012-07-11公开/公告号CN102569477A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/074
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;7;4;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;6;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人无锡尚德太阳能电力有限公司申请人地址
江苏省无锡市无锡新区新华路9号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人无锡尚德太阳能电力有限公司当前权利人无锡尚德太阳能电力有限公司
发明人施正荣;王体虎
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司代理人梁晓广;关兆辉
摘要
混合硅太阳电池及其制造方法。本发明提供一种太阳电池,在该太阳电池中,非晶半导体层(15)位于晶体硅结构的背面上以形成异质结。第一接触结构与晶体层(14)接触,而第二接触结构与非晶层(15)接触。本发明还提供一种形成异质结太阳电池的方法,在该方法中,掺杂的非晶半导体层(15)形成在相反掺杂的晶体硅层(14)上,与该晶体硅层(14)形成背面异质结。随后形成背面接触(16),与非晶半导体层(15)接触,并且在需要与晶体硅层(14)形成金属接触的位置处形成与晶体硅层(14)相同传导类型的重掺杂区(13),以便于与随后形成的金属接触(10)接触。

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