制备BiGaO<sub>3</sub>薄膜材料的气体脉冲序列

发明专利有效专利

申请号：
CN201710579260.2
IPC分类号：C23C16/40;C23C16/455;C23C16/52;C30B25/14;C30B25/16;C30B29/22
申请日期：
2015-11-11
申请人：
南通大学

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专利名称	制备BiGaO<sub>3</sub>薄膜材料的气体脉冲序列
申请号	CN201710579260.2	申请日期	2015-11-11
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-01-09	公开/公告号	CN107557756A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/40 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/22 以沉积金属材料以外之无机材料为特征的〔4〕 C23C16/30 沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物〔4〕 C23C16/40 氧化物〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;4;0;;;C;2;3;C;1;6;/;4;5;5;;;C;2;3;C;1;6;/;5;2;;;C;3;0;B;2;5;/;1;4;;;C;3;0;B;2;5;/;1;6;;;C;3;0;B;2;9;/;2;2查看分类表>
申请人	南通大学	申请人地址	江苏省南通市崇川区啬园路9号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南通大学	当前权利人	南通大学
发明人	宋长青;尹海宏;王志亮;陈晶晶
代理机构	南京同泽专利事务所（特殊普通合伙）	代理人	暂无

摘要

一种用于制备BiGaO3薄膜材料的气体脉冲序列，由铋前驱体气体脉冲、镓前驱体气体脉冲、氧前驱体气体脉冲、惰性气体脉冲组成，所述气体脉冲序列通入真空反应腔中；化学吸附反应在真空反应腔中进行，铋前驱体气体脉冲、镓前驱体气体脉冲、氧前驱体气体脉冲、惰性气体脉冲按照一定的次序依次通入真空反应腔中。通过采用本发明的制备BiGaO3薄膜材料的方法，可以实现BiGaO3薄膜生长厚度的精确可控，且BiGaO3薄膜表面平整度大大优于现有技术。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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