半导体存储器的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN93120817.3
IPC分类号：--
申请日期：
1993-12-10
申请人：
三星电子株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体存储器的制造方法
申请号	CN93120817.3	申请日期	1993-12-10
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	1994-07-27	公开/公告号	CN1090090
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	崔永帝;郑泰荣;朴钟佑;金荣毕
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王以平

摘要

一种半导体存储器的制造方法，其中，提供具有双翅状结构的一种电容器。在由导电层组成的两翅片之间、通过施加能够被湿法腐蚀的厚层平面材料形成存储电极。因此，能够解决由常规结构中的不良台阶差所引起的光刻工艺问题。另外，采用腐蚀速率较大的薄的高温氧化膜形成存储电极。于是改善了单元的构形和减少了存储电极的损坏。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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