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低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN03105365.3
  • IPC分类号:H01L29/786
  • 申请日期:
    2003-02-26
  • 申请人:
    友达光电股份有限公司
著录项信息
专利名称低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法
申请号CN03105365.3申请日期2003-02-26
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2004-09-01公开/公告号CN1525554
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/786
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;6查看分类表>
申请人友达光电股份有限公司申请人地址
台湾省新竹市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人友达光电股份有限公司当前权利人友达光电股份有限公司
发明人林昆志;陈坤宏
代理机构北京三友知识产权代理有限公司代理人陈红
摘要
一种低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法,在一绝缘基板上形成欲作为N-TFT和P-TFT的多晶硅岛状物;依序沉积一栅极绝缘层和一栅极金属层;图案化栅极金属层以形成N-TFT的栅极金属和P-TFT的栅极金属图形;对多晶硅岛状物进行N-离子注入步骤,形成N-TFT的N-区域;利用一光阻图案定义出P-TFT的栅极金属、以及N-TFT的LDD结构;对多晶硅岛状物进行N+离子注入,形成N-TFT的S/D区域,蚀刻未被光阻图案遮盖住的栅极金属图形部份,形成P-TFT的栅极金属;以光阻图案和P-TFT的栅极金属作为罩幕,对多晶硅岛状物进行P+离子注入,形成P-TFT的S/D区域;剥除光阻图案;形成N-TFT和P-TFT的S/D金属电极;本发明可减少光罩的使用数目且所制作的N-TFT具有LDD结构,可同时提高驱动电路的可靠度以及降低像素的漏电流,降低成本提升良率。

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