均热结构与其制法及具有该均热结构的散热模块

发明专利无效专利

申请号：
CN201110426315.9
IPC分类号：H01L33/64;H01L33/00
申请日期：
2011-12-19
申请人：
财团法人工业技术研究院

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	均热结构与其制法及具有该均热结构的散热模块
申请号	CN201110426315.9	申请日期	2011-12-19
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2013-06-05	公开/公告号	CN103137846A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/64 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕 H01L33/64 热吸收或冷却元件〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;6;4;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	财团法人工业技术研究院	申请人地址	中国台湾新竹县竹东镇中兴路四段195号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	财团法人工业技术研究院	当前权利人	财团法人工业技术研究院
发明人	杨恺祥;简国祥
代理机构	北京律诚同业知识产权代理有限公司	代理人	梁挥;常大军

摘要

一种均热结构及其制法以及具有该均热结构的散热模块，该均热结构包括具有第一凹槽的第一盖体、具有第二凹槽的第二盖体及夹置于两者之间的支撑体，其中，第一凹槽及第二凹槽的底面具有多个微结构，而支撑体内具有多个透孔。第一盖体及第二盖体以第一凹槽与第二凹槽面对支撑体的方式将支撑体夹置于第一盖体与第二盖体之间，使第一盖体、支撑体及第二盖体之间形成有腔室。腔室内容置有工作流体，其可借由第一凹槽及第二凹槽的多个微结构及支撑体内的多个透孔所提供的毛细作用而在腔室中流动，以将均热结构所承受的热能均匀分散。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供