半导体存储装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201110021219.6
IPC分类号：G11C16/06
申请日期：
2011-01-14
申请人：
三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体存储装置
申请号	CN201110021219.6	申请日期	2011-01-14
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2011-08-03	公开/公告号	CN102142279A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/06 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;0;6查看分类表>
申请人	三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社	申请人地址	日本大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三洋电机株式会社,三洋半导体株式会社	当前权利人	三洋电机株式会社,三洋半导体株式会社
发明人	丸山纯平;吉川定男
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	李贵亮

摘要

本发明提供了一种即使在验证时数据读出的分辨能力也不会降低，且即使电源电压降低也能够进行稳定的读出动作的半导体存储装置。本发明的读出电路(13)具有：将存储器单元(MC)的单元电流(Icell)变换为电压数据(Vdata)的电流电压变换电路(20)、以及将电压数据(Vdata)与基准电压(Vref)进行比较的读出放大器(30)。电流电压变换电路(20)构成为包括经由位线(BLj)与存储器单元(MC)连接的可变负载电阻。可变负载电阻构成为包括：作为负载电阻的P沟道型MOS晶体管(T11、T14、T17)、以及构成开关电路的P沟道型MOS晶体管(T13、T16、T19)。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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