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半导体装置、半导体装置制造方法和电子设备

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410515052.2
  • IPC分类号:H01L27/146
  • 申请日期:
    2014-09-29
  • 申请人:
    索尼公司
著录项信息
专利名称半导体装置、半导体装置制造方法和电子设备
申请号CN201410515052.2申请日期2014-09-29
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-04-29公开/公告号CN104576668A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/146IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;4;6查看分类表>
申请人索尼公司申请人地址
日本东京 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人索尼公司当前权利人索尼公司
发明人重歳卓志
代理机构北京信慧永光知识产权代理有限责任公司代理人陈桂香;曹正建
摘要
本发明提供了半导体装置、半导体装置制造方法和电子设备。该半导体装置包括:布线层,所述布线层包括至少一个低介电率层间绝缘膜层;保护环,所述保护环被形成在形成有穿过所述布线层的贯通电极的部分中,并且是通过将布线和穿孔串联地布置起来且与所述贯通电极接触而形成的;以及所述贯通电极,所述贯通电极通过被埋入所述保护环内而被形成。本发明能够减小当形成低介电率绝缘膜中的贯通电极时的失败率。

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