一种离子注入厚膜SOI晶片材料的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200710034778.4
IPC分类号：H01L21/00;H01L21/20;H01L21/762;H01L21/84;H01L21/265
申请日期：
2007-04-20
申请人：
中国电子科技集团公司第四十八研究所

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种离子注入厚膜SOI晶片材料的制备方法
申请号	CN200710034778.4	申请日期	2007-04-20
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2007-11-07	公开/公告号	CN101067997
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;2;;;H;0;1;L;2;1;/;8;4;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;5查看分类表>
申请人	中国电子科技集团公司第四十八研究所	申请人地址	湖南省长沙市天心区新开铺路1025号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国电子科技集团公司第四十八研究所	当前权利人	中国电子科技集团公司第四十八研究所
发明人	颜秀文;刘东明;唐景庭;程远贵;龚杰洪;刘恺;贾京英
代理机构	长沙正奇专利事务所有限责任公司	代理人	马强

摘要

一种离子注入厚膜SOI晶片材料的制备方法，其步骤为清洗硅片；在硅片中形成富氧层；在一定气氛、温度和时间下进行退火，形成SiO2埋层，顶部的非晶硅层变成多晶硅；在一定气氛、温度和时间内将顶部的多晶硅层完全氧化，得注氧片；平整注氧片的绝缘埋层表面，清洗；将注氧片与硅片，或所述注氧片与注氧片，或所述注氧片与氧化片在一定温度、真空度下键合，退火，形成“Si-SiO2-Si”三层结构，得键合SOI材料；减薄，使硅膜厚度达到顶层硅厚度要求，抛光，清洗，即得。本发明可精确控制SiO2埋层的厚度、增厚绝缘埋层、提高绝缘埋层质量及界面平坦度，制得的材料可满足特种SOI器件制作的需要。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供