晶圆研磨方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410720427.9
IPC分类号：B24B37/04;B24B1/00;H01L21/02;H01L21/683
申请日期：
2014-12-02
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	晶圆研磨方法
申请号	CN201410720427.9	申请日期	2014-12-02
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-06-08	公开/公告号	CN105643431A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B24B37/04 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B2 成型 B24 磨削；抛光 B24B 用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F 3/00）；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给 B24B37/00 研磨机床或装置；附件（B24B 3/00优先） B24B37/04 适用于加工平面的〔1，2012.01〕	IPC分类号	B;2;4;B;3;7;/;0;4;;;B;2;4;B;1;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;6;8;3查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
发明人	陈彧
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	高静;骆苏华

摘要

本发明提供一种晶圆研磨方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括功能面以及与功能面相对的背面；在所述晶圆的功能面上形成保护层后，再于所述保护层上覆盖一层保护胶带；之后，将所述晶圆放置在研磨设备上，研磨所述晶圆的背面以去除部分厚度的晶圆；去除所述保护胶带，之后再去除所述保护层。在所述进行研磨前，在晶圆的功能面上形成保护层，之后在所述保护层上覆盖一层保护胶带。所述保护胶带在研磨过程中，可有效保护晶圆功能面上的结构在研磨过程被损伤，所述保护胶带粘附在保护层上，可有效克服保护胶带与晶圆功能面接触，进而在研磨工艺后撕去胶带过程中，保护胶带会去除部分晶圆功能面表面的部件的缺陷，减小晶圆功能面上的结构损伤。

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