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制造在平行于有源表面的表面上具有电触点的晶片

发明专利有效专利

申请号：
CN202080007646.6
IPC分类号：H01L21/56;H01L23/31;H01L25/16;H01L23/488;H01L21/60
申请日期：
2020-09-16
申请人：
伊鲁米纳公司

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	制造在平行于有源表面的表面上具有电触点的晶片
申请号	CN202080007646.6	申请日期	2020-09-16
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-24	公开/公告号	CN113302726A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/56 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/50 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的〔2〕 H01L21/56 封装，例如密封层、涂层〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;5;6;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;5;/;1;6;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人	伊鲁米纳公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	伊鲁米纳公司	当前权利人	伊鲁米纳公司
发明人	A·埃玛迪;J·阿达伊;A·阿甘;A·里瓦尔
代理机构	北京市金杜律师事务所	代理人	罗利娜

摘要

本文提供的内容包括用于制造装置、传感器系统的各方面的方法的各种示例。该方法可包括获得粘结到硅晶片的上表面的第一载体。该晶片包括延伸穿过钝化叠堆中的开口的硅穿孔(TSV)，其中电触点耦接到TSV的通过这些开口暴露的部分。该方法可包括使该第一载体从该硅晶片的该上表面脱粘。该方法可包括将该硅晶片切割成包括管芯的子部分。

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