机电加工机构发明专利
申请号：CN201611139328.7
LOC分类号:F15B11/08
IPC结构图谱：
- H电学
- H9电学
- H01基本电气元件
- H01L半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕
- H01L21/00专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕
- H01L21/02半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕
- H01L21/04至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕
- H01L21/18器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕
- H01L21/30用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕
- H01L21/31在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L 21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择〔2，5〕
- H01L21/3105后处理〔5〕
- H01L21/3115绝缘层的掺杂〔5〕
