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一种高速生长硅基薄膜的低成本方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN03103964.2
  • IPC分类号:C23C16/24;C23C16/50
  • 申请日期:
    2003-02-13
  • 申请人:
    南开大学
著录项信息
专利名称一种高速生长硅基薄膜的低成本方法
申请号CN03103964.2申请日期2003-02-13
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2003-08-27公开/公告号CN1438358
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C16/24IPC分类号C;2;3;C;1;6;/;2;4;;;C;2;3;C;1;6;/;5;0查看分类表>
申请人南开大学申请人地址
北京市怀柔区雁栖经济开发区雁栖大街31号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东君新能源有限公司当前权利人东君新能源有限公司
发明人耿新华;赵颍;薛俊明
代理机构天津市学苑有限责任专利代理事务所代理人解松凡
摘要
本发明涉及生长硅基薄膜,尤其是在低温衬底上高速生长优质硅基薄膜的低成本技术,属于薄膜光伏电池与薄膜晶体管等光电子器件技术领域。本发明是克服常规生长硅基薄膜方法中或生长速率慢、或衬底温度高、或离子轰击严重等缺陷,整合其优点。方案是,硅烷等反应气体先经过热丝加热,再输运到施加超高频功率信号电极之间,只需施加较小功率的甚高频信号,使硅烷易充分分解,通过化学气相反应沉积成膜,降低了离子轰击,改善薄膜质量。本发明的有益效果:衬底温度低,便于采用玻璃、塑料等廉价衬底;离子轰击小,薄膜生长速度快(>50A/s)、性能好;反应气体分解充分,节省原材料,提高生产效率,降低了生产成本。

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