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一种薄膜铌酸锂电光调制器及制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110888815.8
  • IPC分类号:G02F1/03
  • 申请日期:
    2021-08-04
  • 申请人:
    江苏铌奥光电科技有限公司
著录项信息
专利名称一种薄膜铌酸锂电光调制器及制备方法
申请号CN202110888815.8申请日期2021-08-04
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-08-31公开/公告号CN113325612A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02F1/03IPC分类号G;0;2;F;1;/;0;3查看分类表>
申请人江苏铌奥光电科技有限公司申请人地址
江苏省南京市鼓楼区福建路洪庙一巷5号红五月科创产业园1栋102 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人江苏铌奥光电科技有限公司当前权利人江苏铌奥光电科技有限公司
发明人胡紫阳;陈力锋;蔡文杰
代理机构南京苏高专利商标事务所(普通合伙)代理人柏尚春
摘要
本发明公开了一种薄膜铌酸锂电光调制器及制备方法,薄膜铌酸锂电光调制器包括从下到上布置的硅衬底、埋氧层和铌酸锂层,铌酸锂层上表面刻蚀形成薄膜铌酸锂光波导;薄膜铌酸锂光波导包括马赫曾德尔结构;在马赫曾德尔结构每条光波导臂两侧分别设置行波信号电极和行波接地电极,在行波信号电极和行波接地电极之间设置用于对光波导臂内的光信号调制的电容负载型T结构电极;马赫曾德尔结构每条光波导臂两侧和下方设置有用于降低微波信号有效折射率的镂空隔离结构。该种电光调制器在硅基衬底下实现了超低驱动电压,超低微波损耗,超大电光带宽的薄膜铌酸锂电光调制器,便于未来在光通信,光传感,光集成等领域实现超高速,超低能耗的电光调制。

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