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功率半导体模块装置、衬底装置及其生产方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910858781.0
  • IPC分类号:H01L23/373;H01L23/14
  • 申请日期:
    2019-09-11
  • 申请人:
    英飞凌科技股份有限公司
著录项信息
专利名称功率半导体模块装置、衬底装置及其生产方法
申请号CN201910858781.0申请日期2019-09-11
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-03-20公开/公告号CN110896059A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/373IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;3;7;3;;;H;0;1;L;2;3;/;1;4查看分类表>
申请人英飞凌科技股份有限公司申请人地址
德国诺伊比贝尔格 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人英飞凌科技股份有限公司当前权利人英飞凌科技股份有限公司
发明人O·霍尔菲尔德
代理机构北京市金杜律师事务所代理人王茂华;傅远
摘要
本公开的实施例涉及功率半导体模块装置、衬底装置及其生产方法。一种功率半导体模块装置包括散热器(30);衬底装置(60),其沿垂直方向布置在散热器(30)上;导热膏(40),其沿垂直方向布置在衬底装置(60)的表面(61)和散热器(30)的表面(31)之间,其中多个导热颗粒均匀地分布在导热膏(40)内;以及多个晶须或纤维(64)。多个晶须或纤维(64)中的每个晶须或纤维包括第一端和第二端,并且多个晶须或纤维(64)中的每个晶须或纤维的第一端不可分离地连接到衬底装置(60)的表面(61)或散热器(30)的表面(31)。

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