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具有改进的发射区域的平面电子发射器装置及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN03101080.6
  • IPC分类号:G11B9/10;G11C11/42;H01L27/10
  • 申请日期:
    2003-01-09
  • 申请人:
    惠普公司
著录项信息
专利名称具有改进的发射区域的平面电子发射器装置及其制造方法
申请号CN03101080.6申请日期2003-01-09
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2003-07-30公开/公告号CN1433011
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G11B9/10IPC分类号G;1;1;B;9;/;1;0;;;G;1;1;C;1;1;/;4;2;;;H;0;1;L;2;7;/;1;0查看分类表>
申请人惠普公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人惠普公司当前权利人惠普公司
发明人H·比雷基;V·T·宾
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人崔幼平;黄力行
摘要
本发明披露了一种场发射平面电子发射器件(100),其具有发射电极(112),提取电极(120),以及和该发射电极、提取电极电连接的平面发射器电子发射层(214)。该平面电子发射器(214)的构型使得优先于其外部区域的电子发射而偏重其中心区域的电子发射。实现该偏重的一个例子通过这样制造平面发射器电子发射层来实现,使得该平面发射器电子发射层具有沿深度方向比其内部(216b)较厚的外周边(216a),当在发射电极和提取电极之间施加电场时,这减少了在外周边的电子发射。在内部区域比在外周边区域,电场以较高的速率从平面发射器电子发射层的表面朝向提取电极汲取电子。该平面发射器件(100)还包括和该平面电子发射器(216)电连接的聚集电极(124)。

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