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发光元件及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200810100507.9
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2008-05-20
  • 申请人:
    晶元光电股份有限公司
著录项信息
专利名称发光元件及其制造方法
申请号CN200810100507.9申请日期2008-05-20
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2009-11-25公开/公告号CN101587927
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人晶元光电股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人晶元光电股份有限公司当前权利人晶元光电股份有限公司
发明人姚久琳;徐大正
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人彭久云
摘要
本发明公开一种发光元件及其制造方法。此元件为半导体元件,包含生长基板,生长基板上依序有n型半导体层、量子阱有源层、p型半导体层等外延结构,再以全像术曝光技术为基础,结合量子阱内部扩散效应,使发光元件的量子阱有源层不需经过蚀刻的工艺,即具有二维空间周期性的介电常数变化或材料组成变化的光子晶体。此光子晶体发光元件不仅能增加内部量子效应,也可增加光取出效率。

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