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用于光掩模等离子体蚀刻的方法和装置

发明专利无效专利

申请号：
CN200710138058.2
IPC分类号：G03F7/36;G03F7/26;H01L21/027;H01L21/3065
申请日期：
2007-08-08
申请人：
应用材料股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	用于光掩模等离子体蚀刻的方法和装置
申请号	CN200710138058.2	申请日期	2007-08-08
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2008-05-07	公开/公告号	CN101174106
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F7/36 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F7/00 图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备（用于特殊工艺的光致抗蚀剂结构见相关的位置，例如，B44C，H01L，例如，H01L 21/00，H05K）〔3，5〕 G03F7/26 感光材料的处理及其设备（G03F 7/12至G03F 7/24优先）〔3，5〕 G03F7/36 G03F 7/30至G03F 7/34组中不包括的影像去除，例如，用气流、用等离子体去除影像〔5〕	IPC分类号	G;0;3;F;7;/;3;6;;;G;0;3;F;7;/;2;6;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;7;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;6;5查看分类表>
申请人	应用材料股份有限公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	应用材料公司	当前权利人	应用材料公司
发明人	艾杰伊·库玛;马德哈唯·R·钱德拉养德;理查德·莱温顿;达里恩·比文斯;阿米泰布·萨布哈维尔;希巴·J·潘纳伊尔;艾伦·希罗什·奥叶
代理机构	北京律诚同业知识产权代理有限公司	代理人	徐金国;梁挥

摘要

在此提供一种用于蚀刻光掩模的方法和装置。该装置包括在衬底支架上方具有护板的工艺腔室。该护板包含具有孔的板，以及该板具有两个区域，这两个区域具有彼此不同的至少一种属性，诸如材料或电势偏压。该方法提供用于蚀刻具有经过护板的离子和中性物质分布的光掩模衬底。

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