一种正装结构的LED芯片及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201711006284.5
IPC分类号：H01L33/32;H01L33/20;H01L33/12;H01L33/06;H01L33/00
申请日期：
2017-10-24
申请人：
江门市奥伦德光电有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种正装结构的LED芯片及其制作方法
申请号	CN201711006284.5	申请日期	2017-10-24
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-02-23	公开/公告号	CN107731979A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/32 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/26 发光区的材料〔2010.01〕 H01L33/30 只包括周期体系中的III族和V族的元素〔2010.01〕 H01L33/32 含氮〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;3;2;;;H;0;1;L;3;3;/;2;0;;;H;0;1;L;3;3;/;1;2;;;H;0;1;L;3;3;/;0;6;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	江门市奥伦德光电有限公司	申请人地址	广东省江门市江海区金辉路21号1幢变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江门市奥伦德光电有限公司	当前权利人	江门市奥伦德光电有限公司
发明人	陈明辉;吴质朴;何畏;陈强
代理机构	广州嘉权专利商标事务所有限公司	代理人	梁嘉琦

摘要

本发明公开了一种正装结构的LED芯片及其制作方法，所述症状结构的LED芯片包括衬底，所述衬底上表面设置有外延层，所述外延层包括由下至上依次设置的缓冲层、N型GaN层、多量子阱层和P型GaN层，所述P型GaN上设置有ITO导电层，在ITO导电层上设置有导电金属作为P电极；所述外延层通过刻蚀P型GaN层到达N型GaN层形成低台阶，所述低台阶上保留有一凸起的GaN小岛，GaN小岛上设置有N电极。本发明通过保留低台阶上的一个凸起的GaN小岛，在不增加电极耗料的情况下，避免了N电极打线接触高台阶PN结导致漏电的问题；同时小岛高度跟台阶一样高，再在此基础上做电极，使得P电极和N电极可以采用同一技术制备，提高了焊线效率和良率，芯片可靠性大幅度提升。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供