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制造太阳能电池的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610596438.X
IPC分类号：H01L31/18;H01L21/02
申请日期：
2016-06-08
申请人：
LG电子株式会社

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	制造太阳能电池的方法
申请号	CN201610596438.X	申请日期	2016-06-08
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2016-12-21	公开/公告号	CN106252458A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/18 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	LG电子株式会社	申请人地址	韩国首尔变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	LG电子株式会社	当前权利人	LG电子株式会社
发明人	梁荣成;权炯镇;金忠义;崔政勋
代理机构	北京三友知识产权代理有限公司	代理人	李辉;刘久亮

摘要

公开了一种制造太阳能电池的方法。该方法包括以下步骤：在包括基区的半导体基板之上使用绝缘膜形成保护膜，该基区具有第一导电类型并且由晶体硅形成。所述形成的步骤包括在包括具有卤素元素的卤素气体的气体环境下在600摄氏度或更高的热处理温度下执行热处理工艺。

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