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一种半导体激光器的高亮度光纤耦合输出设备及方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201410294320.2
IPC分类号：H01S5/00;H01S5/02;H01S5/06;G02B6/32
申请日期：
2014-06-27
申请人：
中国工程物理研究院应用电子学研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种半导体激光器的高亮度光纤耦合输出设备及方法
申请号	CN201410294320.2	申请日期	2014-06-27
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2014-09-10	公开/公告号	CN104037616A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;0;0;;;H;0;1;S;5;/;0;2;;;H;0;1;S;5;/;0;6;;;G;0;2;B;6;/;3;2查看分类表>
申请人	中国工程物理研究院应用电子学研究所	申请人地址	四川省绵阳市游仙区绵山路64号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国工程物理研究院应用电子学研究所	当前权利人	中国工程物理研究院应用电子学研究所
发明人	张凯;郭林辉;余俊宏;王昭;谭昊;高松信;武德勇
代理机构	成都九鼎天元知识产权代理有限公司	代理人	卿诚;吴彦峰

摘要

本发明提供了一种半导体激光器的高亮度光纤耦合输出设备及方法的技术方案，该方案采用短bar条组装成叠阵，通过精密的光束质量和指向性控制，采用简单的光学整形系统，实现高亮度和高耦合效率的光纤耦合输出。

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