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基于静态前馈补偿的抗饱和内模控制系统设计方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510254086.5
  • IPC分类号:G05B13/04
  • 申请日期:
    2015-05-19
  • 申请人:
    北京化工大学;北京国控天成科技有限公司
著录项信息
专利名称基于静态前馈补偿的抗饱和内模控制系统设计方法
申请号CN201510254086.5申请日期2015-05-19
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-09-09公开/公告号CN104898425A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G05B13/04IPC分类号G;0;5;B;1;3;/;0;4查看分类表>
申请人北京化工大学;北京国控天成科技有限公司申请人地址
北京市朝阳区北三环东路15号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京化工大学,北京国控天成科技有限公司当前权利人北京化工大学,北京国控天成科技有限公司
发明人靳其兵;戚林锋;王琪;周星
代理机构北京思海天达知识产权代理有限公司代理人刘萍
摘要
基于静态前馈补偿的抗饱和内模控制系统设计方法,用于过程工业控制系统。该方法包括控制器Q、含有饱和环节的被控对象Gp、被控对象的内部模型Gm以及三个静态补偿器K1、K2、K3;通过在原有的内模控制系统基础上进行静态前馈分析,分别就饱和现象引起的控制器输入偏差、控制器输出偏差和对象输出减缓引起的控制器输出偏差进行补偿。通过在原有内模控制系统中引入3个补偿回路,改善了对象的输出响应。与现有技术相比,本发明是基于对象的传递函数进行控制器、补偿器设计,使工程师更容易理解;同时,本发明与传统的抗饱和内模控制思想不同,是以静态前馈补偿思想改善对象的输出响应,在实际应用中有更高的可实现性。

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