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一种具有多沟槽的LIGBT器件

发明专利有效专利

申请号：
CN202010535106.7
IPC分类号：H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331
申请日期：
2020-06-12
申请人：
电子科技大学

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种具有多沟槽的LIGBT器件
申请号	CN202010535106.7	申请日期	2020-06-12
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-09-08	公开/公告号	CN111640786A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/06 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/02 按其半导体本体的特征区分的〔2〕 H01L29/06 按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;1查看分类表>
申请人	电子科技大学	申请人地址	四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	电子科技大学	当前权利人	电子科技大学
发明人	李泽宏;王志明;程然;蒲小庆;胡汶金;任敏;张金平;高巍;张波
代理机构	成都点睛专利代理事务所（普通合伙）	代理人	霍淑利

摘要

本发明涉及一种具有多沟槽的LIGBT器件，属于功率半导体技术领域。本发明提供的一种具有多沟槽的LIGBT器件，通过沟槽刻蚀改变第二导电类型体区形貌，实现体区均匀分布的掺杂，可以改善第一导电类型漂移区与第二导电类型体区接触的结的形貌，以此来优化漂移区与体区接触区域的电场分布，提高器件的反向阻断电压以及过电流能力，同时也可以减小芯片面积。

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