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一种RGBInGaN基microLED的制作方法及其制作的器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110924887.3
  • IPC分类号:H01L33/00;H01L27/15
  • 申请日期:
    2021-08-12
  • 申请人:
    王晓靁
著录项信息
专利名称一种RGBInGaN基microLED的制作方法及其制作的器件
申请号CN202110924887.3申请日期2021-08-12
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-11-12公开/公告号CN113644168A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;7;/;1;5查看分类表>
申请人王晓靁申请人地址
中国台湾桃园市芦竹区吉林路132巷28号14楼 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人王晓靁当前权利人王晓靁
发明人王晓靁;施能泰;宋高梅
代理机构厦门市精诚新创知识产权代理有限公司代理人李宁
摘要
本发明公开一种RGB InGaN基micro LED的制作方法,步骤如下:对外延芯片材料进行前处理,在外延芯片上沉积隔离层,在同一片外延芯片上将两种或三种颜色光组件对应的LED外延区隔离层去除,制成区块槽,分别至少有一种及两种组件对应的区块槽底部成长用于调变外延晶格常数的中介层,在区块槽中进行LED外延工序。本发明还公开了制作的器件。本发明可以实现依序或同时在同一外延芯片上完成两种或三种InGaN LED组件的外延工序,并完成其余组件所需工序,巨量转移工序将获得有效的减省。针对发光组件导入备援修补设计,大幅降低后续修复工序的复杂度及成本,有效地提升良品率。

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