高速流水线中长延时多端口SRAM的快速访问方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610031667.3
IPC分类号：G11C11/413;G11C8/00;G06F13/16
申请日期：
2006-05-17
申请人：
中国人民解放军国防科学技术大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	高速流水线中长延时多端口SRAM的快速访问方法
申请号	CN200610031667.3	申请日期	2006-05-17
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-10-25	公开/公告号	CN1851824
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/413 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/21 应用电元件的〔2〕 G11C11/34 应用半导体器件的〔2〕 G11C11/40 应用晶体管的〔2〕 G11C11/41 用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特（Schmitt）触发器〔5〕 G11C11/413 辅助电路，例如，用于寻址的、译码的、驱动的、写入的、读出的、定时的或省电的〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;4;1;3;;;G;1;1;C;8;/;0;0;;;G;0;6;F;1;3;/;1;6查看分类表>
申请人	中国人民解放军国防科学技术大学	申请人地址	湖南省长沙市砚瓦池正街47号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国人民解放军国防科学技术大学	当前权利人	中国人民解放军国防科学技术大学
发明人	邓让钰;戴泽福;张明;陈海燕;马驰远;周宏伟;邢座程;蒋江;冀蓉;谈民;彭元喜;穆长富;衣晓飞
代理机构	国防科技大学专利服务中心	代理人	郭敏

摘要

本发明公开了一种高速流水线中长延时多端口SRAM的快速访问方法，要解决的技术问题是提供一种对多端口SRAM的快速访问方法，提高数据的访问效率，提升流水线的总体性能。技术方案是设计一套时钟产生电路、SRAM端口选择器、SRAM存储体和出口寄存器组四个部分组成的多端口SRAM访问控制逻辑，采用这个访问控制逻辑对多端口SRAM进行访问。采用本发明可使SRAM访问流水化，有效降低数据访问延迟，提高存储带宽。

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